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三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段

发布日期:2026-07-01 15:32 阅读:
穗牌官网报道,7月1日,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS(器件解决方案)部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛,而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时,他在同一场合透露,下一代10纳米级第七代DRAM工艺(D1d)在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势,并计划于今年11月完成生产准备认证(PRA)。

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