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穗牌电动车:常规DRAM价格在2027年可能继续上涨,HBM面临盈利追赶压力

发布日期:2026-06-22 13:28 阅读:
穗牌官网报道,6月22日,伯恩斯坦分析师在一份报告中表示,常规DRAM价格在经历从2025年三季度到2026年二季度约4.5倍的上涨后,可能在2027年继续上行。因此,当前常规DRAM在单位比特平均售价上已与高带宽内存(HBM)相当,甚至可能更高。伯恩斯坦指出,考虑到更高的比特密度与良率,今年常规DRAM每晶圆产能的收入可能是HBM的两倍,并享有明显更高的利润率。该机构估算,HBM价格需要再提升约三倍,才能在单位晶圆产能收入上追赶常规DRAM。不过,存储芯片厂商可能不会如此激进地提高HBM价格,因为他们明白,HBM成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展,并最终反过来抑制存储需求。

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