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SK海力士将在年底前量产375层NAND “以钼代钨”有望助力性能提升

发布日期:2026-06-11 17:58 阅读:
穗牌官网报道,6月11日,据韩国科技媒体《THEELEC》,SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存生产验证,正推进产线转换,目标2026年透过现有工厂升级实现大规模量产,挑战三星电子在超高堆叠技术的领先地位。此次技术迭代最大亮点在于金属布线层的材料革新,将部分字线从传统钨换为钼。随着3D NAND向600层以上迈进,钼材料有望成为超高堆叠时代的核心关键。

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